glass substrate can be possible
inverted-staggered 구조를 만드는 공정방법은 크게 2가지가 있다.
for making inverted-staggered TFT we usually use these two method, BCE and ES
1.Etch stopper를 이용한 공정
2.Back-channel-etched(BCE)공정
-그림첨부-
etch stopper
1. 액정에 전압인가시 각 화소마다 독립적인 TFT소자를 통해 전압정보를
Etching system
주로 화학적인 반응에 의해 에칭 진행
이온의 충돌에 의한 이방성 에칭이 되기 어려움
아래 위 두 전극의 크기는 거의 같이 보이지만
반응관 벽면은 접지되어 있으므로
RF가 인가되는 전극에 비해 웨이퍼가 올려져 있는 접지된 전극의 면적이 훨씬 크다.
Reactive Ion Etching system
충돌하
● 유기 발광 전계효과 트랜지스터(organic light-emitting transistor; OLET)
- OLET는 일반적으로 OTFT의 횡적인 전도 채널 구조를 채용하고, OLED와 동일한 전자와 정공의 재결합에 의한 발광 메커니즘을 기반으로 함으로써, 유기 전자 재료 및 소자의 기초적 연구와 기술적 적용 개발에서 모두 유용하다. 아래의 그
1. LCD(Liquid Crystal Display)의 정의
인가전압에 따른 액정의 투과도의 변화를 이용하여 각종 장치에서 발생되는 여러 가지 전기적인 정보를 시각정보로 변화시켜 전달하는 전자 소자이다. CRT와는 달리 자기발광성이 없어 후광이 필요하지만 동작 전압이 낮아 소비 전력이 적고, 휴대용으로 쓰일 수 있어
1. DryEtch; PR 등의 보호막으로 가려져 있지 않은 부위의 막질 제거
2. Ashing; PR 제거
3. Plasma Nitridation; 얇은 산화막 등 유전막의 특성 개선을 위한 표면 처리
4. Plasma Oxidation; Transistor의 특성 개선을 위한 표면 처리
5. 유전막 PE-CVD (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition); SiON 등의
유전막 증착
6. Barrier Meta
2-2. ICP
1) ICP 정의
아르곤(Ar)을 플라즈마 가스로 이용하여 고주파 발생기로부터 발생된 주파수(2.45GHz) 영역에서 유도코일에 의해 발생된 플라즈마 발생소스에는 평판형(planar)(와선형), 나선형(helical)(실린더형)
이 있다.
2) ICP의 원리
Coil에 고주파 가하면 자기장 발생
챔버 주위로 원형의
1) Cathode dark space, Anode dark space
cathode 및 anode 주변의 어두운 경계지역
2) Cathode layer, Anode layer
이온의 전극에서의 neutralization 으로 photon 방출 지역
3) Negative glow
가스의 ionization 및 excitation 이 가장 많이 밝은 지역
4) Faraday dark space
가스 이온화와 감소 지역, 약간 어두운 지역
5) Positive column
Etching은 방식에 따라 크게 wet etching과 dryetching로 구분한다. wet etching는 금속 등과 반응하여 부식시키는 산 계열의 화학약품을 이용하여 PR pattern이 없는 부분을 녹여 내는 것을 말하고 dryetching는 ion을 가속시켜 노출부위의 물질을 떼어냄으로써 pattern을 형성하는 것을 말한다.
최근에는 주로 dryetching